晶體生長方法

單晶和多晶
單晶體：整塊晶體由一顆晶粒組成，或是能用一個空間點陣圖形貫穿整個晶體。單晶體是原子排列規律相同，晶格位相一致的晶體。例如：單晶硅。
多晶體：整塊晶體由大量晶粒組成，或是不能用一個空間點陣圖形貫穿整個晶體。多晶體是由很多排列方式相同但位向不一致的小晶粒組成。例如：常用的金屬。
多晶體在宏觀上不具有各向異性（但是組成它的每一個微小的單晶體仍具有各向異性）,它也有固定的熔點

單晶硅和多晶硅
1、在力學性質、光學性質和熱學性質的各向異性方面，遠不如單晶硅明顯;
2、在電學性質方面，多晶硅晶體的導電性也遠不如單晶硅顯著，甚至于幾乎沒有導電性。
3、在化學活性方面，兩者的差異極小，一般都用多晶硅比較多。

晶體生長的方法
晶體生長的方法有：提拉法，坩堝下降法，泡生法，焰熔法，區熔法，弧熔法

熔化 → 引晶 → 頸縮 → 放肩 → 等徑生長 → 收尾

技術難點：1.溫度場的設置和優化；2.熔體的流動和缺陷分析
優點：
1、生長過程可以觀察和測試，有利于控制生長調節
2、利用縮頸技術和上等定向籽晶可以減少缺陷
3、生長速度較快（每小時6-15mm）
4、晶體光學均一度高

泡生法
泡生法又稱凱式長晶法，簡稱KY法。
泡生法原理為：將原料加熱至熔化形成熔湯，再把籽晶接觸到熔湯表面，在晶種與熔湯的固液界面上開始生長單晶后，晶種以極緩慢的速度拉升一段時間形成晶頸，待凝固速率穩定后，便不再拉升和旋轉，僅以控制冷卻速率的方式使單晶從上方向下逐漸凝固，*后形成單晶塊。

區熔法

區熔法主要用于鍺、GaAS（砷化鎵）。豎直區熔法主要用于硅（因為硅熔體溫度高，化學性質活潑，容易受異物污染，難以找到合適的舟皿，不能用水平區熔法）
籽晶的引入和縮頸過程和提拉法類似，
為了優化熔區溫度雜質分布，晶體上下部分通常加入逆向轉動

焰熔法

晶體生長共性問題
籽晶和引晶工藝非常重要，籽晶有引導晶體生長的作用，如果籽晶質量不好，或者引晶過程操作不當引入缺陷，將會對后續過程產生毀滅性影響
溫度場控制，溫度越低，生長越快，但是缺陷也越多，溫度過低還可能使熔體中產生新的核產生，使籽晶失去唯壹的引導作用，不能得到完整的一塊單晶。
生長環境的波動會影響生長質量，如溫度波動，機械振動，熔體擾動，應力分布等。